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在數(shù)字化浪潮席卷當(dāng)下，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)芯片性能的要求愈發(fā)嚴(yán)苛。無(wú)論是零下數(shù)十度的極寒工業(yè)環(huán)境，還是高溫密閉的服務(wù)器機(jī)房，芯片都需保持穩(wěn)定運(yùn)行。近日，冷熱沖擊試驗(yàn)箱憑借性能，在半導(dǎo)體領(lǐng)域大放異彩，成為提升芯片抗寒耐熱性能的關(guān)鍵利器。

在芯片研發(fā)過(guò)程中，冷熱沖擊試驗(yàn)箱發(fā)揮著作用。以 5G 通信芯片為例，在基站設(shè)備中，芯片需在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間處理海量數(shù)據(jù)，而在戶外低溫環(huán)境中又要保障信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。研發(fā)團(tuán)隊(duì)利用冷熱沖擊試驗(yàn)箱，模擬芯片在 - 40℃至 85℃溫度區(qū)間內(nèi)的頻繁切換，觀察芯片內(nèi)部焊點(diǎn)、封裝材料以及電路性能的變化。通過(guò)反復(fù)測(cè)試，發(fā)現(xiàn)部分芯片在冷熱循環(huán)后出現(xiàn)焊點(diǎn)開(kāi)裂現(xiàn)象，研發(fā)人員據(jù)此優(yōu)化封裝工藝，采用新型焊料與加固技術(shù)，使芯片在溫度下的可靠性提升了 30%。