1. 電容薄膜規(guī)工作原理 l 壓力使膜片變形，變形量與壓力大小成比例關(guān)系 l 通過測量不同壓力下的陶瓷膜片的變形量測量真空度
2. 電容薄膜規(guī)特點 l 以可靠的超純陶瓷傳感器室為基礎(chǔ)構(gòu)成 l 在嚴酷和腐蝕性環(huán)境中,穩(wěn)定與可靠的高精度壓強測量 l 快速的預(yù)熱和恢復(fù)時間,提高生產(chǎn)率 l 的長期穩(wěn)定性,再現(xiàn)性和重復(fù)性 l 由于電子學直接安裝在傳感器上,改進了溫度補償和EMC兼容性 l 對環(huán)境條件變化的敏感度的降低使得測量更穩(wěn)定 l 快速預(yù)熱在開機的一分鐘內(nèi)達到快速穩(wěn)定和進入 準備使用狀態(tài) l 一鍵按鈕: 調(diào)零功能和設(shè)點調(diào)整 l 抗腐蝕超純陶瓷傳感器 l 能經(jīng)受數(shù)百萬次壓強循環(huán)周期,包括大氣壓 沖擊,無任何降低性能的跡象 l 暴露大氣壓后快速恢復(fù),無需隔離閥 l 對蒸氣介質(zhì)不敏感 l 傳感器屏蔽 延長真空計在污染的工藝過程中的使用壽命
3.陶瓷技術(shù) l 陶瓷技術(shù)的*性
1) 無 “記憶” 效應(yīng)
2) 陶瓷無疲勞問題
3) 好的溫度補償
4) 的零點穩(wěn)定性 l 低使用成本
5) 非凡的使用壽命
6) 無需隔離閥
4. 測量范圍
5. 加熱型薄膜規(guī)
6. 加熱型優(yōu)點 l 零飄極小0.1%FS/年（干凈真空環(huán)境） l 更高的精度 l 環(huán)境溫度變換/環(huán)境壓力變化/環(huán)境氣流變化對精度無影響 l 比工藝更快的預(yù)熱啟動時間’ l 快速恢復(fù)時間 大氣壓 < 1 min within 5mV l 任意安裝角度 l 抗污染，可有效抵抗工藝氣體或工藝產(chǎn)生氣體的腐蝕影響
7. 電容薄膜規(guī)的應(yīng)用要求高的應(yīng)用條件下，精確而快速的壓強測量 l 用于刻蝕，CVD,PVD,ALD半導體設(shè)備制造，如太陽能光伏行業(yè)的PECVD用的很多，刻蝕上一般用陶瓷型的比較多，抗污染性能比較好。
