詳細(xì)摘要： 100MHZ高頻介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀B“Q"的定義Q表是根據(jù)串聯(lián)諧振原理設(shè)計(jì)，以諧振電壓的比值來(lái)定位Q值?！癚"表示元件或系統(tǒng)的“品質(zhì)因數(shù)"，其...
產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市更新時(shí)間：2025-04-17 在線留言
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詳細(xì)摘要： 100MHZ高頻介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀B“Q"的定義Q表是根據(jù)串聯(lián)諧振原理設(shè)計(jì)，以諧振電壓的比值來(lái)定位Q值?！癚"表示元件或系統(tǒng)的“品質(zhì)因數(shù)"，其...
產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市更新時(shí)間：2025-04-17 在線留言
詳細(xì)摘要： 各種材料介電常數(shù)測(cè)試儀是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)...
產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市更新時(shí)間：2025-04-17 在線留言
詳細(xì)摘要： GDAT高頻介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下，電...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市更新時(shí)間：2025-04-17 在線留言
詳細(xì)摘要： 50HZ介電常數(shù)電容率測(cè)試儀、實(shí)現(xiàn)波形和測(cè)量處理數(shù)據(jù)同屏顯示，使測(cè)試過(guò)程更直觀；具有設(shè)置、校正和調(diào)試功能。
產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37A所在地：北京市更新時(shí)間：2025-04-16 在線留言
詳細(xì)摘要： 直讀OCA介電損耗測(cè)試儀真空的介電常數(shù)ε0=1/3.6π（pF/cm），相對(duì)介電常數(shù)εr=ε/ε0，ε是某介質(zhì)的介電常數(shù)。
產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市更新時(shí)間：2023-08-20 在線留言
詳細(xì)摘要： 直讀OCA介電測(cè)試儀真空的介電常數(shù)ε0=1/3.6π（pF/cm），相對(duì)介電常數(shù)εr=ε/ε0，ε是某介質(zhì)的介電常數(shù)。
產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市更新時(shí)間：2023-08-19 在線留言
詳細(xì)摘要： 薄膜OCA介電測(cè)試儀真空的介電常數(shù)ε0=1/3.6π（pF/cm），相對(duì)介電常數(shù)εr=ε/ε0，ε是某介質(zhì)的介電常數(shù)。
產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市更新時(shí)間：2023-08-19 在線留言
詳細(xì)摘要： 有機(jī)硅介電常數(shù)測(cè)試儀平板電容器：極片尺寸：50mm/38mm可選極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市更新時(shí)間：2023-06-24 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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