一、產(chǎn)品概述

半導(dǎo)體清洗機(jī)臺(tái)是晶圓制造工藝中用于去除表面污染物的核心設(shè)備，通過(guò)化學(xué)濕法、物理作用或二者結(jié)合的方式，清除硅片表面的顆粒、金屬殘留、有機(jī)物及氧化層。其廣泛應(yīng)用于前道制程（如光刻膠剝離、柵極氧化前清洗）和后道工藝（如CMP后殘留處理），直接影響芯片良率與電性能。現(xiàn)代清洗機(jī)臺(tái)支持6-12英寸晶圓，兼容單片濕法、兆聲波、噴淋等多種技術(shù)，具備自動(dòng)化控制、高效潔凈度及環(huán)保設(shè)計(jì)特點(diǎn)。

二、核心功能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

多工藝清洗能力

標(biāo)準(zhǔn)RCA流程：嚴(yán)格遵循SC-1（堿性過(guò)氧化氫去膠）、SC-2（酸性氟化物去金屬）等配方，可定制化調(diào)整化學(xué)品濃度、溫度及處理時(shí)間。

兆聲波增強(qiáng)：高頻超聲波（20-100kHz）產(chǎn)生空化效應(yīng)，剝離>99%的超細(xì)顆粒（≥25nm），避免機(jī)械損傷。

CMP后清洗：專用于化學(xué)機(jī)械拋光后殘留氧化物的清除，保障表面平整度。

高精度污染控制

顆粒清除：通過(guò)噴淋+兆聲波組合，顆粒殘留<0.1顆/cm2（≥25nm）。

金屬污染：SC-2步驟將金屬密度降至<1×101? atoms/cm2，滿足制程需求。

有機(jī)物去膠：高效分解光刻膠及助劑殘留，防止后續(xù)層間粘連。

智能化與自動(dòng)化設(shè)計(jì)

參數(shù)精準(zhǔn)調(diào)控：PLC系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)控流量、溫度、轉(zhuǎn)速，支持SECS/GEM協(xié)議對(duì)接MES系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)追溯。

多腔室模塊化：4-8個(gè)獨(dú)立腔室可選，支持并行處理不同工藝（如去膠、蝕刻、純水沖洗），提升產(chǎn)線效率。

靜電消除技術(shù)：腔體內(nèi)集成離子風(fēng)機(jī)，減少顆粒吸附風(fēng)險(xiǎn)，保障潔凈環(huán)境。

環(huán)保與節(jié)能特性

藥液回收系統(tǒng)：廢液分類回收率>99%，降低HF、H?O?等高危化學(xué)品消耗，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

低能耗模式：純水使用量<1L/min，離心干燥能耗較熱風(fēng)烘干降低30%。

三、應(yīng)用場(chǎng)景

前道制程：

光刻膠剝離（正膠/負(fù)膠清洗）。

柵極氧化前的納米級(jí)潔凈度保障。

刻蝕后通孔/溝槽清潔，避免殘?jiān)绊懗练e。

后道工藝：

CMP后殘留氧化物去除，提升平坦化效果。

芯片封裝前的背面減薄預(yù)處理。

特殊材料兼容：除單晶硅外，可處理多晶硅、氮化硅、金屬薄膜（如Al Pad、Cu布線）等。