一、產(chǎn)品概述
半導(dǎo)體清洗機(jī)臺(tái)是晶圓制造工藝中用于去除表面污染物的核心設(shè)備,通過(guò)化學(xué)濕法、物理作用或二者結(jié)合的方式,清除硅片表面的顆粒、金屬殘留、有機(jī)物及氧化層。其廣泛應(yīng)用于前道制程(如光刻膠剝離、柵極氧化前清洗)和后道工藝(如CMP后殘留處理),直接影響芯片良率與電性能。現(xiàn)代清洗機(jī)臺(tái)支持6-12英寸晶圓,兼容單片濕法、兆聲波、噴淋等多種技術(shù),具備自動(dòng)化控制、高效潔凈度及環(huán)保設(shè)計(jì)特點(diǎn)。
二、核心功能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)
多工藝清洗能力
標(biāo)準(zhǔn)RCA流程:嚴(yán)格遵循SC-1(堿性過(guò)氧化氫去膠)、SC-2(酸性氟化物去金屬)等配方,可定制化調(diào)整化學(xué)品濃度、溫度及處理時(shí)間。
兆聲波增強(qiáng):高頻超聲波(20-100kHz)產(chǎn)生空化效應(yīng),剝離>99%的超細(xì)顆粒(≥25nm),避免機(jī)械損傷。
CMP后清洗:專用于化學(xué)機(jī)械拋光后殘留氧化物的清除,保障表面平整度。
高精度污染控制
顆粒清除:通過(guò)噴淋+兆聲波組合,顆粒殘留<0.1顆/cm2(≥25nm)。
金屬污染:SC-2步驟將金屬密度降至<1×101? atoms/cm2,滿足制程需求。
有機(jī)物去膠:高效分解光刻膠及助劑殘留,防止后續(xù)層間粘連。
智能化與自動(dòng)化設(shè)計(jì)
參數(shù)精準(zhǔn)調(diào)控:PLC系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)控流量、溫度、轉(zhuǎn)速,支持SECS/GEM協(xié)議對(duì)接MES系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)追溯。
多腔室模塊化:4-8個(gè)獨(dú)立腔室可選,支持并行處理不同工藝(如去膠、蝕刻、純水沖洗),提升產(chǎn)線效率。
靜電消除技術(shù):腔體內(nèi)集成離子風(fēng)機(jī),減少顆粒吸附風(fēng)險(xiǎn),保障潔凈環(huán)境。
環(huán)保與節(jié)能特性
藥液回收系統(tǒng):廢液分類回收率>99%,降低HF、H?O?等高危化學(xué)品消耗,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
低能耗模式:純水使用量<1L/min,離心干燥能耗較熱風(fēng)烘干降低30%。
三、應(yīng)用場(chǎng)景
前道制程:
光刻膠剝離(正膠/負(fù)膠清洗)。
柵極氧化前的納米級(jí)潔凈度保障。
刻蝕后通孔/溝槽清潔,避免殘?jiān)绊懗练e。
后道工藝:
CMP后殘留氧化物去除,提升平坦化效果。
芯片封裝前的背面減薄預(yù)處理。
特殊材料兼容:除單晶硅外,可處理多晶硅、氮化硅、金屬薄膜(如Al Pad、Cu布線)等。