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ENX2020 廠商直供高精度新型雪崩耐量測試儀-電子/半導體檢測儀器

參考價
面議
具體成交價以合同協議為準
  • 型號ENX2020
  • 品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時間2018-10-16
  • 廠商性質生產廠家
  • 所在地區西安市
  • 實名認證已認證
  • 產品數量9
  • 人氣值130
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西安易恩電氣坐落于西安渭北工業裝備區,是陜西省政府重點支持的*。公司專注于研發、生產和銷售半導體封裝、測試設備。現已成為國內電力電子行業的測試方案供應商。公司以自主研發生產的“軌道機車半導體測試系統”系列產品為主導,在此基礎上相繼推出全自動大功率IGBT參數測試系統、功率器件圖示系統、晶體管圖示儀、雪崩、浪涌、熱阻集成電路測試系統等系列產品。廣泛應用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、高校等諸多領域。

    完善的基礎設施和優秀的人才隊伍一直是企業強化建設的重點。公司設有測試實驗室,調試中心,產品研發中心,服務團隊等多個技研服務部門,以滿足不同客戶對測試解決方案的多層次需求。公司研發人員占總人數的70%,碩士學歷以上人員占75%,專業技術人員占比超過66%,成員大多來自航天、航空、半導體及微電子相關研究院所及電力電子行業內的人士。公司通過了質量體系*及陜西省軟件企業認定,承擔國家*創新基金項目等,目前獲得發明4項,實用新型15項,軟件著作權3項。

“專業專注,全心服務”是公司健康發展之基礎。面向未來,易恩將充分發揮自身的技術創新和服務優勢,致力成為的電力電子測試方案供應商。

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產地國產 加工定制
ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發設計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業測試設備,能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測試系統,該設備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護電路、計算機控制系統
廠商直供高精度新型雪崩耐量測試儀-電子/半導體檢測儀器 產品詳情

廠商直供高精度新型雪崩耐量測試儀

ENX2020  雪崩耐量測試系統

概述

半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產生較大尖峰電壓的應用場合,就要考慮器件的雪崩能量,電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應用場合,電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會降額,從而留有足夠的電壓余量,但是一些電源在輸出短路時,初級會產生較大的電流,加上初級電感,器件就會有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些電機的負載是感性負載,而啟動和堵轉過程中會產生*的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發設計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業測試設備,能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020  雪崩耐量測試系統該設備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護電路、計算機控制系統、雪崩電壓采集系統、雪崩電流采集系統、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口(根據客戶需求)等多個部分。

規格/環境要求

電壓頻率:50Hz±1Hz

環境溫度:1540

工作濕度:溫度不高于+30℃時,相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%,無冷凝。

大氣壓力: 86Kpa~106Kpa

海拔高度:不超過3000米。

   寸:800x800x1800mm

   量:210KG

工作電壓:AC220V±10%無嚴重諧波

系統功耗:320W

通信接口:USB RS232

技術指標

配置

測試范圍

測試參數

條件

范圍

電壓

1000V

IGBTs

絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

電流

200A

MOSFETs

MOS場效應管

EAR/重復脈沖雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

 

DIODEs

二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

 

    


ENX2020  雪崩耐量測試系統

概述

半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產生較大尖峰電壓的應用場合,就要考慮器件的雪崩能量,電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應用場合,電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會降額,從而留有足夠的電壓余量,但是一些電源在輸出短路時,初級會產生較大的電流,加上初級電感,器件就會有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些電機的負載是感性負載,而啟動和堵轉過程中會產生*的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

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規格/環境要求

電壓頻率:50Hz±1Hz

環境溫度:1540

工作濕度:溫度不高于+30℃時,相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%,無冷凝。

大氣壓力: 86Kpa~106Kpa

海拔高度:不超過3000米。

   寸:800x800x1800mm

   量:210KG

工作電壓:AC220V±10%無嚴重諧波

系統功耗:320W

通信接口:USB RS232

技術指標

配置

測試范圍

測試參數

條件

范圍

電壓

1000V

IGBTs

絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

電流

200A

MOSFETs

MOS場效應管

EAR/重復脈沖雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

 

DIODEs

二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

 

 

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測

50mV/A(取決于傳感器)

 

 

 

感性負載

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

 

 

 

重復間隙時間

1-60s可調(步進1s)重復次數:1-50次

 

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