功率半導體靜態特性測試系統國產品牌測試項目
二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線
三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
產品特點
1、高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力，電壓高達3500V（蕞大可擴展至12kV）
0.1％精度測量
四線制測試
3、模塊化配置
可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元
系統預留升級空間，后期可添加或升級測量單元
4、測試效率高
內置專用開關矩陣，根據測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
5、軟件功能豐富
上位機自帶器件標準參數測試項目模板，可直接調取使用
支持曲線繪制
自動保存測試數據，并支持EXCEL格式導出
開放的標準SCPI指令集，可與第三方系統集成
6、擴展性好
支持常溫及低溫、高溫測試
可靈活定制各種夾具
可與探針臺，溫箱等第三方設備聯動使用
普賽斯功率半導體靜態特性測試系統國產品牌，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、納安級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。 普賽斯PMST功率器件靜態參數測試系統，配置有多種測量單元模塊，模塊化的設計測試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。
目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產品已經覆蓋了10pA-6000A、300mV-12KV的電壓電流范圍，并在多個領域展現出絕對優勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于絕對優勢地位。
