摘要短波紅外二極管激光器是一種連續波、多縱模法布里-珀羅器件，其發光帶寬約為20nm，輸出功率高達50mW。它們要么作為芯片載體提供，要么封裝在低功率TO-66封裝中，具有準直或發散自由空間光束輸出。基于InP技術，可以在1.45-2.2μm范圍內定制SWIR二極管激光器...

摘要Anritsu MA244XD 標準二極管傳感器可與 ML2430、ML2480 和 ML2490 系列功率計聯合使用。 該傳感器專為高動態范圍、高精準度的 CW 和 TDMA 測量而設計。 MA244XD 內置 3 dB 衰減器，能夠*大程度地降低輸入電壓駐波比，適...

摘要Anritsu MA244XD 標準二極管傳感器可與 ML2430、ML2480 和 ML2490 系列功率計聯合使用。 該傳感器專為高動態范圍、高精準度的 CW 和 TDMA 測量而設計。 MA244XD 內置 3 dB 衰減器，能夠*大程度地降低輸入電壓駐波比，*...

摘要Anritsu MA244XD 標準二極管傳感器可與 ML2430、ML2480 和 ML2490 系列功率計聯合使用。 該傳感器專為高動態范圍、高精準度的 CW 和 TDMA 測量而設計。 MA244XD 內置 3 dB 衰減器，能夠*大程度地降低輸入電壓駐波比，*...

摘要 光敏二極管

摘要 設備概述：晶閘管是一種多功能的輔助教學裝置

摘要在瞬態峰值脈沖電流作用下，流過TVS的電流，由原來的反向漏電流ID上升到IR時，其兩極呈現的電壓由額定反向關斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR，TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現，通過TVS的電流達到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預定的大箝位電壓以下。隨后...

摘要導體器件。通常它包含一個PN結，有陽極和陰極兩個端子。其結構如圖1所示。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正...

摘要肖特基-貼片-二極管-SS54L，肖特基二極管-是半導體器件，以其發明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarr...

摘要 二極管陣列檢測器

摘要在瞬態峰值脈沖電流作用下，流過TVS 的電流，由原來的反向漏電流ID上升到IR 時，其兩極呈現的電壓由額定反向關斷電壓VWM 上升到擊穿電壓VBR，TVS 被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現，流過TVS 的電流達到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預定的瞬態抑制二...

摘要特快速二極管主要包括肖特基二極管和特快恢復二極管。肖特基二極管是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成的二極管，其主要特點是正向導通壓降小（約0.45V），反向恢復時間短和開關損耗小。但目前肖特基二極管存在的問題是耐壓比較低，反向漏電流比較大，用于功率變換電路中的肖...

摘要 高效二極管比上述FRD速度更快，損失更低（正向電壓較低），因此它使用外延晶圓，在利用導電調制效果（參考PIN二極管）來降低正向電阻的同時，通過追加重金屬擴散，能在不損壞正向特性的情況下，提高反向恢復特性。HED用于比FRD更為高速的開關電路。

摘要 Maximize optical absorbance information with the Thermo Scientific™ Dionex™ ICS-Series PDA Photodiode Array Detector

摘要 儀器簡介：LGD-15型色敏二極管主要研究色敏二極管的光照特性、伏安特性、光譜特性等

摘要 產品介紹AgilentCary8454紫外-可見分光光度計基于我們在光電二極管(PDA)技術方面30年的經驗積累，是一款簡單易用的升級版儀器，非常適合常規應用，能夠滿足制藥公司的合規性需求

摘要 光敏二極管是將光信號變成電信號的半導體器件

摘要 二極管陣列檢測器（DAD3200）

摘要 LM385是微功率 2 端子帶隙穩壓二極管。工作電流范圍 10μA 至 20mA，具有極低的動態阻抗和良好的溫度穩定性。...

摘要 簡介：SMD 電阻電容二極管測試表是一種小型化、一體prefix=ons="urn:schemas-microsoft-com:office:office"化的實用新型測量儀表

摘要 SERVOTOUGHLaser3PlusSERVOTOUGHLASER3PLUS分析儀是下一代可調諧二極管激光 (TDL) 單光路光譜儀，采用革命性的緊湊設計，集*功能、性能和更低持有成本等諸多特點于一身

摘要1064nm二極管泵浦Q開關激光器QuaTas-Q1-100是激光器市場上*的風冷型Nd:YAG半導體泵浦固體脈沖激光器和1064nmQ開關激光器,非常適合高峰值功率激光應用,是激光誘導擊穿光譜LIBS,LCD修復,基質輔助激光解吸電離MALDI,時間飛行光譜TOFS...

摘要 光纖耦合二極管445nm激光器是一款為熒光成像應用而設計的連續445nm二極管激光器,采用單模光纖耦合輸出激光,具有良好的445nm激光器價格

摘要Nd:YLF二極管泵浦Q開關激光器QuaTas-Q1-1053是激光器市場上*的風冷型Nd:YLF半導體泵浦固體脈沖激光器和Q開關1053nm激光器,非常適合高峰值功率激光應用,是激光誘導擊穿光譜LIBS,激光誘導熒光LIF,基質輔助激光解吸電離MALDI,時間飛行光...

摘要二極管泵浦RGB激光器采用660nm,532nm,440nm半導體泵浦固體激光技術提供RGB激光的紅綠藍RGB激光器，特別針對激光全息等應用優化，相干長度高達2米.二極管泵浦RGB激光器采用緊湊泵浦腔設計，具有全固態超級緊湊的特征，采用電光Q開關和通過利用效的NLO晶...

摘要這款二極激光器技術,可輸出1064nm,532nm,355nm,266nm,213nm,1053nm,526.5nm,351nm,263nm,211nm激光波長,采用Nd:YAG半導體泵浦固體激光DPSS技術制造,結構緊湊而能量穩定,非常適合激光誘導擊穿光譜LIBS,...

摘要 這款二極管泵浦皮秒激光器采用單縱模DPSS被動調Q亞納秒激光器技術,1-100Hz重復頻率提供高峰值功率,脈寬可500皮秒,脈沖能量可到2mJ,具有1064nm,532nm,355nm,266nm皮秒激光器波供選擇

摘要 高功率直接二極管激光器DDL采用高功率directdiodelasers,DDL激光技術,直接輸出高功率激光器,非常適合高功率激光材料處理

摘要 OEM型直接二極管激光器是500W級的DDL激光器,可光纖耦合輸出,適合集成到其它激光系統中,標準激光波長為808nm,915nm,940nm和980nm

摘要 KW級光纖耦合輸出二極管激光器系統是千瓦級二極管激光器系統,可提供1700W到5000W的激光功率，采用600um芯徑光纖耦合輸出,非常適合大功率激光材料處理

摘要 萬瓦級直接二極管激光系統采用DDL直接二極管激光器技術,可輸出5000W和10000W激光功率,非常適合激光焊接,激光淬火,激光釬焊和激光退火應用

摘要 這款40W釬焊二極管激光巴條是被動制冷激光二極管巴條,采用HCS-mount釬焊封裝,提供40W激光功率輸出,提供808nm波長.釬焊二極管激光巴條壽命長,可靠性強,非常適合工業級激光應用

摘要這款200W準連續二極管巴條采用Apollo被動冷卻半導體巴條bar技術進行CS-mount封裝,提供200W激光功率QCW輸出,可提供808nm,940nm波長.200W準連續二極管巴條可靠性強,采用免維護設計,不使用微通道激光二極管,從而不需要去離子水和高壓泵循環...

摘要 這款二極管激光器疊層列陣采用垂直堆疊半導體激光列陣巴條和主動冷卻技術,可在準連續QCW模式下輸出250W功率,可提供808nm,904nm激光波長

摘要 二極管激光陣列驅動電源是專業為高功率半導體激光巴條驅動設計的激光二極管列陣驅動電源,輸出電流高達100A，噪聲/紋波10mA,滿足多個高功率半導體激光器列陣巴條驅動

摘要 整流二極管反向伏安特性測試儀型號:DBC-023 金洋萬達該儀器是專為整流二極管測試伏安特性而研制的檢測設備，適用于流水線上大批量測試器件是否合格

摘要公司產品廣泛應用于微波爐、激光打印機、復印機、 TV顯示器、X光機及大型醫療設備、負離子發生器、空氣凈化、激光切割、高壓靜電噴涂、工業靜電設備、油田設備、高壓電源、智能手機、機頂盒、安防監控、無線互聯、汽車電子、工業自動化、消費電子、智能觸控，通訊系統、雷達產品等領域...

摘要我司*供應全系列直插貼片二極管、壓敏.熱敏電阻器系列、高壓硅堆、高壓整流橋、高壓二極管、防雷二極管、倍壓整流模塊、高壓電容、串聯電容器、TVS瞬態抑制二極管直插與貼片（SA P6KE 1.5KE,5KP）、高壓硅粒、防靜電二極管、IXYS全系列快恢復、ON（安森美）M...

摘要我司*供應全系列直插貼片二極管、壓敏.熱敏電阻器系列、高壓硅堆、高壓整流橋、高壓二極管、防雷二極管、倍壓整流模塊、高壓電容、串聯電容器、TVS瞬態抑制二極管直插與貼片（SA P6KE 1.5KE,5KP）、高壓硅粒、防靜電二極管、IXYS全系列快恢復、ON（安森美）M...

摘要 從此處查看超快速恢復二極管的信息。

摘要 從此處查看快速恢復二極管（雙管）的信息。

摘要 從此處查看快速恢復二極管（單管）的信息。

摘要 從此處查看肖特基勢壘二極管（雙管）的信息

摘要 從此處查看肖特基勢壘二極管（單管）的信息

摘要 SiC器件具有出色的特性，能夠實現高耐壓、低功耗、高頻動作和高溫動作。使用SiC的功率半導體能夠實現大幅節能和安裝產品的小型化、輕量化。