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LEEG立格DMP305X-TST-H單晶硅高過載壓力變送器

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利用傳感器外部結構的過載保護設計,能夠很好地彌補單晶硅壓力傳感器自身過載保護設計的不足,不僅容易實現,而且抗過載壓力能大幅提高。針對差壓傳感器和表壓傳感器及絕壓傳感器,傳感器外部結構過載保護有2種不同的設計方案。


表壓傳感器以大氣壓作為參考壓力,其測量硅膜片的負腔直接通大氣;絕壓傳感器以絕對真空作為參考壓力,其測量硅膜片的負腔為真空封裝狀態。表壓和絕壓傳感器的外部過載保護設計和差壓傳感器有所不同


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