日本*電子工業談連接器晶須問題

在2005年3月16日開幕的“第19屆電子封裝學術演講大會”上，連接器廠商日本*電子工業就晶須問題的現狀及今后面臨的課題發表了演講。為了應對RoHS法令，連接器的鍍金處理必須棄用鉛（Pb）。但無鉛化有可能產生晶須（Whisker），導致連接器端子間短路。而晶須造成的短路會直接引起產品故障，因此眾多設備廠商正在絞盡腦汁地解決這種短路問題。

　據悉有2種情況在連接器中容易產生晶須。一種情況是插入連接器的柔性電路底板與連接器的接觸力較大，另一種情況是連接器端子使用的底材剛性不高。晶須產生的情況根據鍍金使用的合金種類而不同，zui不易產生晶須的是錫（Sn）-鉍（Bi）合金，其次是錫（Sn）-銀（Ag）合金，再就是對錫鍍金層再加熱的回流錫（Reflow Sn）。這幾種合金材料在端子底材中均使用鎳（Ni）。

　據*電子工業介紹，根據過去的常識很難判斷連接器上產生的晶須，也就是通常所說的晶須發現條件。一般來說，電子設備在產品出廠前要在高溫高濕（+85℃，85%）環境下進行負荷試驗。但在室溫（+25℃±5℃）下比高溫高濕環境更容易產生晶須，因此用原來的試驗方法很難判斷有沒有因晶須導致的故障。此外，*電子工業與電子信息技術產業協會（JEITA）進行的實驗證實，把柔性電路底板嵌入連接器幾個小時后就會產生晶須，約1000個小時以后停止生長。今后，計劃由JEITA對晶須試驗方法進行標準化作業。

　目前，電子行業正在同心協力地解決連接器的晶須問題，與過去的老產品相比不易產生晶須的產品也已相繼亮相。目前來看，多數設備廠商zui多允許晶須生長50μm，今后將結合產品更新換代的周期與壽命等因素進行考慮，以確定連接器與柔性電路底板鍍金所使用的合金與鍍金層厚度。

　間距不到1mm的小間距連接器因晶須導致電路短路的問題，從2003年起就已在電子業界產生了一定的震動。從晶須的歷史來看，美國在上世紀40年代就已發現晶須的存在，日本是在上世紀80年代發現交換機因晶須產生信號不良的問題。當時，還發現只要添加微量的鉛就可以抑制晶須的產生，因此后來就沒有繼續對晶須進行研究。隨著RoHS法令實施日期的日益臨近，要求必須棄用原本做為晶須抑制劑而添加的鉛，從而就使得這個30年前的老問題再次浮出了水面。