擴散硅壓力變送器的被測介質的兩種壓力通入高、低兩壓力室，低壓室壓力采用大氣壓或真空，作用在δ元件(即敏感元件)的兩側隔離膜片上，通過隔離片和元件內的填充液傳送到測量膜片兩側。壓力變送器是由測量膜片與兩側絕緣片上的電極各組成一個電容器。當兩側壓力不一致時，致使測量膜片產生位移，其位移量和壓力差成正比，故兩側電容量就不等，通過振蕩和解調環節，轉換成與壓力成正比的信號。
硅單晶材料在受到外力作用產生極微小應變時（一般步于400微應變），其內部原子結構的電子能級狀態會發生變化，從而導致其電阻率劇烈變化（G因子突變）。用此材料制成的電阻也就出現*變化，這種物理效應稱為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術經過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向，制成應變電阻，構成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學特性，在同一切硅材料上進行各向異性微加工，就制成了一個集力敏與力電轉換檢測于一體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關部件，使之輸出一個標準信號，就組成了一臺完整的壓力變送器。
擴散硅壓力變送器具有工作可靠、性能穩定、安裝使用方便、體積小、重量輕、性能價格比高等點，能在各種正負壓力測量中得到廣泛應用。擴散硅傳感器屬于平面器件，采用PN結隔離。*。這種隔離方法易于受到工藝過程和工藝環境的影響，使隔離性能下降。無論是PN結內部還是PN結表面受到影響，都會降低絕緣性能，從而影響傳感器穩定地工作。擴散硅壓力變送器可以利用半導體技術批量生產，*地降低了生產成本，利用為機械加工技術使傳感器微型化和集成化，縮小了傳感器的面積，擴大了應用領域。
