上海睿威信息科技有限公司
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用于半導體可靠性測試的試驗機SIC（碳化硅）大功率裝置2000V高壓對應電壓 ~2000V電流 ~75mA/單元搭載A/ｍA兩個量程的限流電流切換可進行大功率裝置SIC/高電壓FET/IGBT等加載高電壓試驗、ＢＴ（偏壓熱應力）試驗
用于半導體可靠性測試的試驗機
SIC（碳化硅）大功率裝置2000V高壓對應
電壓 ~2000V
電流 ~75mA/單元
搭載μA/ｍA兩個量程的限流電流切換
可進行大功率裝置SIC/高電壓FET/IGBT等加載高電壓試驗、ＢＴ（偏壓熱應力）試驗。
用于汽車、高鐵等相關高壓裝置的評價。
電壓可加載2000V，同時可測定16ＣＨ。
★試驗、測試動作
試驗中可選擇柵極BT試驗和漏極BT試驗。
漏極BT系列的測試基于以下流程，按照參數設定的條件進行動作。
① 初期測試（Vg掃描試驗）
② 加載偏壓（柵極BT試驗 或 漏極BT試驗）
③ 中間測試（Vg1點試驗）
④ 結束測試（Vg掃描試驗）
測試CH數
16CH/單元(最多4個單元/64CH)
電源規格
向樣品施加電壓，請使用以下電源。每個單元用1個電源。
電壓－電流
①柵極加載用±30V 30mA(單元內電源)
②漏極加載用高電壓2kV 30mA(外部電源：松定精密HJPR-2P30-LGob)
③漏極加載用低電壓+30V 30mA(單元內電源)
測試方法
在各樣品的GND側，插入萬用表，用電流表測量。
數字萬用表:凱利公司制造3706A＋多路復用器卡3720
①柵極BT １ｎA～10μA
②漏極BT試驗 1μA～30mA
③Id測試 1μA～30mA
④Vg監控 -30V～+30V
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