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閱讀:282發(fā)布時(shí)間:2022-6-22
電子工業(yè)氣體:
高純度硅烷氣體雜質(zhì)組份的檢測(cè)
一:應(yīng)用領(lǐng)域:
硅烷在大規(guī)模集成電路(LSI)、超大規(guī)模集成電路(VLSI)和半導(dǎo)體器件制造中,用于氣相外延生長(zhǎng)、化學(xué)氣相淀積等工藝(工序)。
1. 外延(生長(zhǎng))混合氣 在半導(dǎo)體工業(yè)中,在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法,生長(zhǎng)一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,氧化硅膜淀積,氮化硅膜淀積,太陽能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長(zhǎng)是一種單晶材料淀積并生長(zhǎng)在襯底表面上的過程。
2. 化學(xué)氣體淀積(CVD)用混合氣 CVD是利用揮發(fā)性化合物,通過氣相化學(xué)反應(yīng)沉積某種單質(zhì)或化合物的一種方法,即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜的方法。依據(jù)成膜種類,使用的化學(xué)氣相淀積(CVD)氣體也不同。
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