一種基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣。包括：天線子陣、收發電路板和 金屬殼體散熱器。天線子陣包含4×4寬帶輻射單元。收發電路板包含四片硅基TR芯片、功 分合成網絡以及分布式數字控制電路，每片硅基TR芯片有四路收發通道，能夠完成接收信 號放大和相位幅度調整，并且能夠將發射信號移相 放大輸出。采用瓦片式結構，天線與收發電路層疊 設計，通過垂直互聯結構連接形成整體，系統可靠 性高。且硅基芯片批量成本低，有效降低了整機成 本。使用高集成度硅基TR芯片，有效解決了瓦片式 兩維相控陣天線橫向空間受限的問題，通過瓦片層 疊結構將天線射頻一體化集成，形成可自由拼接的 標準化有源子陣。
采用標準化子陣模塊，硬件可重構，軟件可定 義，研制了一種具有低成本、高集成度、模塊化、 散熱能力強、可靠性高且具有快速維修能力的兩維 相控陣雷達射頻前端。包括：天線罩、采用硅基TR 芯片的有源相控陣子陣（16通道）、散熱殼體、功 分網絡、波控電源板、和差網絡、頻綜接收機和散 熱風機
采用瓦片式結構，基于多子陣模塊化擴展設計實現整陣。使用硅基TR芯片有效 解決了瓦片式相控陣天線橫向空間受限的問題，有源相控陣子陣及殼體的散熱設計 為解決散熱難題提出了一個有效的方案。
子模塊技術指標：
名稱 技術指標 工作頻段 X波段 極化方式 線極化 /圓極化 波束掃描范圍 方位面：±45°，俯仰面：±45° 增益 法向 >16dB 描范圍內下降 <3.5dB zui大占空比 ≤30% 半功率波束帶寬 方位面：23°±2.3° 俯仰角：23°±2.3° 移相執行時間 ≤100ns 移相器位數 6位 衰減器位數 6位 單通道功率 ≥0.5W 單通道噪聲系數 ≤3dB
整陣技術指標：
名稱 技術指標 工作頻段 X頻段 極化方式 垂直線極化 中頻 210MHz 瞬時帶寬 30MHz 波束掃描范圍 方位面：±45°，俯仰面：±45° 陣列規模（TR通道數目） 24×24 zui大占空比 30% 半功率波束帶寬 接收 方位：4.6°±0.5°，俯仰：4.6°±0.4° 發射 方位：3.8°±0.4°，俯仰：3.8°±0.4° 接收副瓣電平 ≤-20dB 接收差波束零深 方位：≤-25dB 俯仰：≤-25dB G/T ≥2dB/K EIRP ≥83dBm 功耗 ≤600W
應用場景：
目前子陣工作頻率X波段，天線極 化為垂直線極化。在主體方案不變的情 況下，可以根據總體需要，在8~12GHz 頻帶范圍內調整，天線極化也可以按照 水平線極化或者圓極化設計。
