DHDP1射頻CCP薄膜沉積裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。通過DHDP1射頻CCP薄膜沉積裝置可以掌握CVD；理解CVD的成膜過程及要求，化學(xué)輸運反應(yīng)的原理，等離子體CVD的原理、特點及等離子體的激勵方式；了解該技術(shù)在電學(xué)、光學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用。DHDP1射頻薄膜沉積裝置.DHDP1射頻薄膜沉積裝置.薄膜沉積裝置

詳細介紹

DHDP1射頻CCP薄膜沉積裝置

DHDP1射頻CCP薄膜沉積裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。

通過本實驗裝置可以掌握CVD（化學(xué)氣相沉積）；理解CVD的成膜過程及要求，化學(xué)輸運反應(yīng)的原理，等離子體CVD的原理、特點及等離子體的激勵方式；了解該技術(shù)在電學(xué)、光學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景。

可開設(shè)的實驗

1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應(yīng)用；

2、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備；

3、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備各種功能薄膜。

主要技術(shù)參數(shù)

1、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；有效尺寸：Φ220×H230mm；

2、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa；

3、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合；射頻源功率：帶500W 13.56MHz；

4、氣路系統(tǒng)：由三路轉(zhuǎn)子流量計控制（可選配質(zhì)量流量計）；

5、襯底加熱溫度：室溫至300℃可控；

6、平行板電極：Φ70mm；

7、工作反應(yīng)氣體：由電極板上微孔均勻?qū)耄?/strong>

8、真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機械泵，4L/S，單相220V交流電源供電；

9、管道、閥門：材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管；

10、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警，并執(zhí)行相應(yīng)保護措施；

11、供電電源：AC220V，50Hz，整機功率2KW。

相關(guān)產(chǎn)品：TWST632TW/ST660/TWST685遠距離紅外測溫儀；TWST672/ TWST677/TWST689/TWST688S高溫遠距離紅外測溫儀；TWST689帶USB接口遠距離紅外測溫儀；TWST631；TWST658紅外食品測溫儀；ZY-11BL小目標超遠距離紅外測溫儀；XL150C/XL300C超遠距離紅外測溫儀；UT1160A/B/C紅外熱像儀；UT180/UT1100經(jīng)濟型紅外熱像儀；TWTES1365/LUTRONHD3008溫濕度計；TWCENTER342溫濕度記錄儀；RERRK8/16多路溫度巡檢儀；Fluke1523/1524參考測溫儀

關(guān)鍵詞：控制系統(tǒng) 轉(zhuǎn)子流量計質(zhì)量流量計交流電源紅外測溫儀

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