成都福克儀器有限公司
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產(chǎn)品型號ISSPSHFA
品 牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
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更新時間：2025-02-27 16:15:33瀏覽次數(shù)：71次
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ISSPSHFA單晶制備爐由溫度控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和單晶爐爐體等部分組成，是為高等院校和科研院所單晶生產(chǎn)而研制的專用設(shè)備。ISSPSHFA單晶爐可開設(shè)的實(shí)驗(yàn)：制備金屬氧化物類單晶；制備氧化物高溫超導(dǎo)體；制備非氧化物單晶；進(jìn)行單晶生長、材料熱處理、固相反應(yīng)材料合成等。ISSPSHFA單晶爐.ISSPSHFA單晶爐.單晶制備爐.ISSPSHFA單晶制備爐.ISSPSHFA單晶制備爐
ISSPSHFA單晶制備爐
| 概述： |
| ISSPSHFA單晶制備爐由溫度控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和單晶爐爐體等部分組成，是為高等院校和科研院所單晶生產(chǎn)而研制的專用設(shè)備。 可開設(shè)的實(shí)驗(yàn)： 1、制備金屬氧化物類單晶，如SrMoO3； 2、制備氧化物高溫超導(dǎo)體，如釔鋇銅氧等； 3、制備非氧化物單晶，如單晶硅、單晶碳化硅等； 4、在1550℃以下大氣、真空或氣氛保護(hù)下進(jìn)行單晶生長、材料熱處理、固相反應(yīng)材料合成等。 |
| 主要技術(shù)特點(diǎn)： |
| ◆一機(jī)多用，可開設(shè)多個綜合性、研究性實(shí)驗(yàn)：既可制備氧化物類單晶，又可制備非氧化物類或厭氧類單晶，具有很高的性能價格比； ◆采用特殊的做爐膛保溫材料，具有密度小，保溫性能好等特點(diǎn)； ◆采用抽真空結(jié)合保護(hù)氣氛，既可以抽真空，又可以通入不同的氣體； ◆*高溫度可達(dá)1550℃； ◆溫度梯度：約5℃/cm； ◆溫度采用程序控制，實(shí)現(xiàn)智能化。 |
| 主要技術(shù)參數(shù)及性能： |
| 1、電源：AC220V，50/60Hz； 2、額定功率：5kW； 3、爐膛尺寸：φ185mm×φ185mm； 4、加熱區(qū)尺寸：150mm； 5、溫度控制范圍：100~1600℃，控制精度：±1℃，升溫速率：10℃/min； 6、報警保護(hù)：上、下限，正、負(fù)偏差，斷偶等報警； 7、質(zhì)量：約50kg。 |
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