SWY2855介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。SWY2855介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。SWY2855介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀.SWY2855介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀
SWY2855介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀
SWY2855 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
SWY2855介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
1 特點(diǎn)：
◎ 本公司**的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～70MHz（SWY2852D）, 50kHz～160MHz（SWY2853D）測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
2 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
2.2 Q表
| 型號(hào) | SWY2851D | SWY2852D | SWY2853D |
| 工作頻率范圍 | 50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器 | 1kHz～70MHz 四位數(shù)顯，數(shù)字合成 精度：±50ppm | 50kHz～160MHz 四位數(shù)顯，數(shù)字合成 精度：±50ppm |
| Q值測(cè)量范圍 | 1～1000 三位數(shù)顯，±1Q分辨率 | 1～1000 四位數(shù)顯，±0.1Q分辨率 | 1～1000 四位數(shù)顯，±0.1Q分辨率 |
| 可調(diào)電容范圍 | 40～500 pF ΔC±3pF | 40～500 pF ΔC±3pF | 13～230 pF |
| 電容測(cè)量誤差 | ±1%±1pF | ±1%±1pF | ±1%±0.5pF |
| Q表殘余電感值 | 約20nH | 約20nH | 約8nH |
2.3 介質(zhì)損耗裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：
SWY916D:Φ38mm和Φ50mm二種.
SWY915:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：
0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性：
0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：
±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：
25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
≤2.5×10-4
2.4 電感器：
按測(cè)試頻率要求，需要配置不同量的電感器。例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配250μH電感器，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。
2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶(hù)可按需訂購(gòu)，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
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