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單晶硅差壓變送器在使用時有何技巧呢？
隨著微電子機械加工系統技術的日趨成熟而為傳感器行業帶來一場新的革命，對于壓力、差壓、液位傳感器而言，其封裝的傳感器芯片本質將決定終產品的性能與等級。以目前市場上廣泛采用的硅芯片技術而言，硅壓阻技術加工工藝成熟，但其信噪比特性與溫度特性有待提高；硅諧振技術加工工藝復雜過壓特性不好。
單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質，其材質特性優于市場上通用的復合硅、擴散硅材料，芯片采用德國領些的單晶硅雙梁懸浮式技術，結合了硅壓阻與硅諧振技術雙方特點，并從設計與工藝上做出了創新性優化，實現高精度、高穩定性、低溫度影響、超高過壓等優異性能，*適用于工業過程控制、自動化制造、航天航空、汽車與船舶、醫療衛生等多個領域。
單晶硅差壓變送器的注意事項：
1、切勿用高于36V電壓加到變送器上，導致變送器損壞;
2、切勿用硬物碰觸膜片，導致隔離膜片損壞;
3、被測介質不允許結冰，否則將損傷傳感器元件隔離膜片，導致變送器損壞，必要時需對變送器進行溫度保護，以防結冰;
4、在測量蒸汽或其他高溫介質時，其溫度不應超過變送器使用時的極限溫度，高于變送器使用的極限溫度必須使用散熱裝置;
5、測量蒸汽或其他高溫介質時，應使用散熱管，使變送器和管道連在一起，并使用管道上的壓力傳至變壓器。當被測介質為水蒸氣時，散熱管中要注入適量的水，以防過熱蒸汽直接與變送器接觸，損壞傳感器;
6、在壓力傳輸過程中，應注意以下幾點，
①變送器與散熱管連接處，切勿漏氣;
②開始使用前，如果閥門是關閉的，則使用時，應該非常小心、緩慢地打開閥門，以免被測介質直接沖擊傳感器膜片，從而損壞傳感器膜片;
③管路中必須保持暢通，管道中的沉積物會彈出，并損壞傳感器膜片;