概述
產(chǎn)品參數(shù)
追求的TEM樣品制備工具
在設(shè)備及高性能納米材料的評(píng)價(jià)和分析領(lǐng)域，F(xiàn)IB-SEM已成為的工具。
近來，目標(biāo)觀察物更趨微細(xì)化；更薄，更低損傷樣品的制備需求更進(jìn)一步凸顯。
日立高新公司，整合了高性能FIB技術(shù)和高分辨SEM技術(shù)，再加上加工方向控制技術(shù)以及Triple Beam®＊1（選配）技術(shù)，推出了新一代產(chǎn)品NX2000
運(yùn)用高對(duì)比度，實(shí)時(shí)SEM觀察和加工終點(diǎn)檢測(cè)功能，可制備厚度小于20 nm的超薄樣品
加工方向控制技術(shù)（Micro-sampling®＊3系統(tǒng)（選配）+高精度/高速樣品臺(tái)＊）對(duì)于抑制窗簾效應(yīng)的產(chǎn)生，以及制作厚度均一的薄膜類樣品給予厚望。
Triple Beam®＊1（選配）可提高加工效率，并能使消除FIB損傷自動(dòng)化
產(chǎn)品參數(shù)
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
|---|---|
| FIB鏡筒 | |
| 分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
| 加速電壓 | 0.5～30 kV |
| 束流 | 0.05 pA ～ 100 nA |
| FE-SEM鏡筒 | |
| 分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV |
| 加速電壓 | 0.5～30 kV |
| 電子槍 | 冷場(chǎng)場(chǎng)發(fā)射型 |
| 探測(cè)器 | |
| 標(biāo)準(zhǔn)検出器 | In-lens 二次電子探測(cè)器/樣品室二次電子探測(cè)器/背散射電子探測(cè)器 |
| 樣品臺(tái) | X：0 ～ 205 mm Y：0 ～ 205 mm Z：0 ～ 10 mm R：0 ～ 360°連續(xù) T：-5 ～ 60° |
