Ga2O3氧化鎵單晶襯底(直徑2英寸)

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氧化鎵是新一代功率半導體和深紫外光電子半導體材料,其禁帶寬度為4.9eV,遠遠大于氮化鎵(3.3eV)、碳化硅(3.4eV)和硅(1.1eV)的禁帶寬度。在功率半導體方面,氧化鎵的擊穿電場強度是硅的20多倍,是碳化硅和氮化家的2倍多,氧化鎵的擊穿電場強度可達8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領域的重要應用價值,氧化鎵材料和器件的研究與應用,已成為當前研究與開發的熱點和重點。為此,我們提供2英寸的Ga2O3單晶襯底。
標準技術參數:
備注:如需要其它晶面和尺寸的Ga2O3單晶襯底,請與我們聯系。