　　日立*集團的企業理念是“以成為先端技術領域里提供高科技解決方案的*為目標”。在這個理念的指引下，將電子裝置系統、生命科學系統、信息電子系統、*產業材料系統等各個事業部門的“先端技術”推向世界的Z前線。

　　為了應對日新月異的技術革新和需求的多樣化，達成事業的化，日立*集團同時具有用先端技術開發制造新產品的制造功能和向提供優化解決方案的貿易公司機能，是一家在先端科技領域里向*更快、更好地提供產品和服務的性企業。

　　日立*集團Z重視的是在中國地區的事業戰略。我們在上海、北京、深圳、香港設立了獨資公司，這些地方分公司在中國的11個地區設有銷售和技術服務網點。同時在蘇州和大連還設有生產基地。日立*集團不但支持中國電子產業和高科技產業發展的半導體制造，而且提供各種解析設備，LCD制造和檢查設備，芯片貼裝設備等。在保障人民安全和健康的科學醫療領域，還提供各種解析、分析儀器及應用相關系統等*開發產品和相應的優質且完善的售后服務。此外，日立*集團從中國各地向*提供支持電子、高科技、汽車產業、環境和節能技術的各種新功能材料的采購解決方案，通過靈活利用網絡和其貿易公司功能，實現創造附加價值的事業模式。

　　日立*中國實業集團作為被大家所信賴的企業，在遵紀守法的同時，力爭創造新的價值，以“客戶*位為根本”開展工作，探求持續性發展，通過營銷活動為中國的高科技產業、環境及能源事業、社會基礎設施的安全、人民健康等方面的發展，不斷地做著積極的貢獻。衷心希望今后也能夠繼續得到大家的支持和厚愛。

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瞬態熱電阻測量設備是用于測量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態熱電阻的儀器。（左圖）照片為Model2085瞬態熱電阻測量儀

電源模塊瞬態熱電阻測量設備產品詳情

電源模塊瞬態熱電阻測量設備

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電源模塊瞬態熱電阻測量設備

瞬態熱電阻測量設備是用于測量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態熱電阻的儀器。

（左圖）照片為Model2085瞬態熱電阻測量儀

特點

BJT (Bipolar Junction Transistor)瞬態熱電阻測量設備
本設備向晶體管的基極•發射極通入微電流，測量此時基極與發射極之間的電壓。隨后在集電極與發射極之間施加電源，提升結點溫度。切斷電源后再次向晶體管的基極•發射極通入微電流，測量基極與發射極之間的電壓，計算出差值。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）瞬態熱電阻測量儀
與BJT瞬態熱電阻測量儀在同一時間計算柵極與發射極之間電壓差值的測量儀器。
P-MOS FET瞬態熱電阻測量儀
與BJT瞬態熱電阻測量儀在同一時間計算柵極與源極之間電壓差值的測量儀器。
能夠測量二極管的ΔVF

主要的設備規格

Model No.	2082B	2083	2085	2086
測量條件	VCB 2～199V IE 0.1～29.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5,10mS 20,50,100, 200mS 500, 1000mS	VCB 2～599V IE 0.1～249.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S	VCB 2～599V IE 0.1～500.0A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S	VCB 2～99V IE 0.1～99.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2,5S,DC
測量范圍	ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V ΔVGS 10mV～9.99V VGS (max) 20V	ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1%	ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1%	ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1%
采樣點	Td 50～990µS	Td 50～990µS	Td 50～990µS	Td 50～990µS
大偏置條件	?PW 1mS時 VCB 199V IE 29.9A ?PW 1S時 VCB 20V IE 20.0A	?PW 100µS時 VCB 599V IE 250A ?PW 2S時 VCB 20V IE 50A	?PW 100µS時 VCB 599V IE 500A ?PW 2S時 VCB 20V IE 100A	?PW 100µS時 VCB 99V IE 99.9A ?PW DC時 VCB 10V IE 50A
樣品極性	Nch/Pch NPN/PNP	NPN	NPN	NPN
電源	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC200V ±10% 50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]	W670 D750 H1400	W820 D1350 H1700	W820 D1350 H1700	W670 D750 H1400

Model No.	2087	2185	2186
測量條件	VCB 2～1200V IE 0.1～999.9A IM 1～999mA 精度±1% PW 0.1～99.9mS 1～999mS 0.01～9.99S 0.1～99.9S 1～999S	VCE 5～99V IE 1～399A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5, 10mS 20,50, 100,mS 200,500mS 1,2,5,10S	VCE 10～1200V IE 0.1～99.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S
測量范圍	ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1%	ΔVGE 5～1999mV VGE (max) 20V 精度±1%	ΔVGE 10～999mV VGE (max) 20V 精度±1%
采樣點	Td 50～990µS	Td 50～990µS	Td 50～990µS
大偏置條件	?PW 100µS時 VCB 1200V IE 1000A ?PW 2S時 VCB 20V IE 200A	?PW 1mS時 VCE 99V IE 399A ?PW 2S時 VCE 20V IE 100A	?PW 100µS時 VCE 1200V IE 99.9A ?PW 2S時 VCE 20V IE 50A
樣品極性	NPN	Nch NPN	Nch NPN
電源	AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ	AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ	AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]	W1600 D2000 H1600	W1520 D2100 H1750	W800 D1600 H2000

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