深圳市星際金華出售IKW75N65ES5 N溝道場效應晶體管  *  進口*  質量有保證

星際金華提供  IKW75N65ES5 N溝道場效應晶體管   價優物原   庫存充足  歡迎選購

功能摘要：
極低的V CE（sat）在25°C時為1.35V，比TRENCHSTOP™5 H5低20％
IC（n）=標稱電流的四倍（100°CT c）
軟電流下降特性，無尾電流
對稱，低壓過沖
柵極電壓受控制（無振蕩）。沒有不必要的器件導通的風險，也不需要柵極鉗位
高結溫T vj = 175°C
符合JEDEC標準

優點：
不需要V CE（峰值）鉗位電路
適用于單個導通/關斷柵極電阻
無需門夾緊組件
不需要米勒鉗位的柵極驅動器
減少所需的EMI濾波
非常適合并聯

目標應用：
存儲
UPS
焊接
太陽能
充電器

規格：

IGBT 類型 溝道

電壓 - 集射極擊穿（大值） 650V

電流 - 集電極（Ic）（大值） 80A

脈沖電流 - 集電極 (Icm) 300A

不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 1.75V @ 15V，75A

功率 - 大值 395W

開關能量 2.4mJ（開），950µJ（關）

輸入類型 標準

柵極電荷 164nC

25°C 時 Td（開/關）值 40ns/144ns

測試條件 400V，75A，18 歐姆，15V

反向恢復時間（trr） 85ns

工作溫度 -40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 通孔

封裝/外殼 TO-247-3

供應商器件封裝 PG-TO247-3

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